再生晶圆系采专业之剥膜制程,可快速且不影响芯片特性的前提下,处理IC Fab制程之各式薄膜,如光阻膜、氧化膜、金属膜等;且有效运用抛光技术来确保客户来料矽晶圆之最小移除率和电物性要求;且以清洗方式达到最佳洁净度,可大幅提高客户回货率及增加档控片之使用次数。谷韦 凭借著成熟的专业技术且具多元弹性的制程设计,提供客户稳定可靠的质量,且具竞争性的合理价位。而完善的软硬件系统及优质服务团队的运作,更能因应个别客户的技术需求,达到完全客制化的目标与服务。

管制項目/晶圓尺寸 150mm200mm300mm
移除量≦8μm≦8μm≦10μm
平坦度 ≦15μm≦15μm≦10μm
Zn.Fe. Cu 金屬元素清洗能力≦1 E10≦1 E10≦1 E10
晶片表面潔淨度 ≦ 40 ea @ 0.160 μm≦ 70 ea @ 0.100 μm≦ 300 ea @ 0.032 μm
≦ 10 ea @ 0.200 μm≦ 40 ea @ 0.160 μm ≦ 140 ea @ 0.065 μm
≦  5 ea @ 0.300 μm≦30ea @ 0.200 μm ≦ 30 ea  @  0.12 μm
Go to top