相較於傳統的矽（Si），GaAs 具備更快的電子移動速度與更低的能量損耗，因此特別適合應用於高速運算、射頻通訊與光電轉換等高科技領域。
什麼是 GaAs？
砷化鎵由「鎵（Gallium）」與「砷（Arsenic）」組成，是一種 直接能隙材料（Direct Bandgap Semiconductor）。
這項特性使 GaAs 能高效率地將電能轉換為光能，因此在光電元件如雷射二極體（Laser Diode）與紅外線感測器中廣泛使用。
GaAs 的主要特性
高速運作能力強：電子遷移率為矽的 5~6 倍，能支援高速與高頻電子元件。
優異的光電轉換效率：直接能隙特性使其可高效發光，常用於 LED 與雷射產品。
抗輻射、耐高溫：在太空、軍用及高輻射環境中表現穩定。
高能量轉換效率：應用於高效能太陽能電池與光通訊系統。
GaAs 的應用領域
隨著高頻與光電技術的發展，砷化鎵材料已成為多項尖端產品的核心：
通訊應用：手機功率放大器（PA）、Wi-Fi、5G 基地台及衛星通訊模組。
光電產品：紅外線感測器、雷射二極體、光纖通訊收發器。
再生能源：高效率多接面太陽能電池（Multi-junction Solar Cell）。
高頻電子元件：HEMT、MESFET、MMIC 等高速晶體管與微波電路。
為什麼選擇 GaAs？
與傳統矽晶材料相比，GaAs 不僅能提供更高的速度與穩定性，也能兼顧電與光的雙重應用特性。
在 5G 通訊、AI 晶片、光通訊與航太科技等新興產業中，GaAs 已成為關鍵材料之一。
選擇 GaAs，代表選擇更高的效能、更低的能耗與更長的元件壽命。
我們的服務與產品
本公司專注於 半導體材料研發與供應，致力於提供高品質的 GaAs 晶圓、外延片（Epi Wafer）及相關光電材料。
我們以穩定的製程品質、專業的技術支援與彈性的客製服務，協助客戶開發高效能電子與光電元件，廣泛應用於通訊、感測、航太與能源產業。
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