磷化銦（Indium Phosphide, InP）
磷化銦（Indium Phosphide, InP）是一種高效能(週期表13價與15價元素結合)的半導體材料，具直接能隙和極高電子遷移率，可作為AI數據中心、5G/6G高速光通訊雷射及接收器、高頻射頻元件的關鍵材料，其優勢在於處理光電轉換與超高速訊號。主要應用於發光二極體(LED)及高端雷射。
●核心技術優勢與應用
- 光通訊與AI基礎設施： InP是DFB雷射（分布反饋雷射）與高速光偵測器（PD）的核心，滿足800G、1.6T高速傳輸，為資料中心、5G網絡不可或缺的材料。
- 高速射頻（RF）： 適合製作兆赫波（>100GHz）與高頻射頻器件（如HBT、HEMT），在高頻傳輸上具有低噪聲優勢。
- 材料特性： 高電子飽和漂移速度、導熱性好、具備輻射硬度（適用於太空應用）。
- 技術挑戰： 相比於砷化鎵（GaAs），磷化銦的材料成本較高，且容易在製程中產生缺陷。
●產品尺寸與規格表：目前我們提供2” Inp Wafer，若有其他尺寸需求，歡迎來電洽詢！